MOSFET Wolfspeed CCS050M12CM2, VDSS 1.200 V, ID 87 A, Paquete de seis de 28 pines, 6elementos, config. Trifásico

Código de producto RS: 916-3891Marca: WolfspeedNúmero de parte de fabricante: CCS050M12CM2
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

87 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

1200 V

Tipo de Encapsulado

Paquete de seis

Tipo de montaje

Screw Mount

Conteo de Pines

28

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

63 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.3V

Disipación de Potencia Máxima

312000 mW

Transistor Configuration

3 Phase

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-10 V, +25 V

Número de Elementos por Chip

6

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

108mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

180 nC a 10 V

Ancho

47mm

Material del transistor

SiC

Tensión de diodo directa

2.3V

Altura

17mm

Datos del producto

Módulos MOSFET de alimentación de carburo de silicio Wolfspeed

Módulos MOSFET de alimentación de carburo de silicio de Wolfspeed, de la división de soluciones de alimentación de Cree Inc. Estos módulos MOSFET SiC se alojan en encapsulados estándares industriales y están disponibles en formato de medio puente (2 MOSFET) y trifásico (6 MOSFET); también incluyen diodos de recuperación inversa SiC. Entre las aplicaciones típicas se incluyen: calefacción por inducción, inversores eólicos y solares, convertidores DC-DC, PFC trifásico, unidades de regeneración de línea, SAI y SMPS, unidades de motor y cargadores de batería.

• La corriente de recuperación inversa del diodo y la corriente de cola de apagado MOSFET son de valor efectivo cero.
• Funcionamiento a alta frecuencia con pérdida ultrabaja
• Fácil conexión en paralelo gracias a las características SiC
• Funcionamiento redundante a fallos, normalmente apagado
• Placa base de cobre y aislador de nitruro de aluminio que reducen los requisitos térmicos

MOSFET Transistors, Wolfspeed

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$ 672.571

Each (Sin IVA)

$ 800.359

Each (IVA Incluido)

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N

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Tipo de montaje

Screw Mount

Conteo de Pines

28

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

63 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.3V

Disipación de Potencia Máxima

312000 mW

Transistor Configuration

3 Phase

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-10 V, +25 V

Número de Elementos por Chip

6

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

108mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

180 nC a 10 V

Ancho

47mm

Material del transistor

SiC

Tensión de diodo directa

2.3V

Altura

17mm

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Módulos MOSFET de alimentación de carburo de silicio de Wolfspeed, de la división de soluciones de alimentación de Cree Inc. Estos módulos MOSFET SiC se alojan en encapsulados estándares industriales y están disponibles en formato de medio puente (2 MOSFET) y trifásico (6 MOSFET); también incluyen diodos de recuperación inversa SiC. Entre las aplicaciones típicas se incluyen: calefacción por inducción, inversores eólicos y solares, convertidores DC-DC, PFC trifásico, unidades de regeneración de línea, SAI y SMPS, unidades de motor y cargadores de batería.

• La corriente de recuperación inversa del diodo y la corriente de cola de apagado MOSFET son de valor efectivo cero.
• Funcionamiento a alta frecuencia con pérdida ultrabaja
• Fácil conexión en paralelo gracias a las características SiC
• Funcionamiento redundante a fallos, normalmente apagado
• Placa base de cobre y aislador de nitruro de aluminio que reducen los requisitos térmicos

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