Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
WolfspeedTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
35 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1000 V
Serie
C3M
Tipo de Encapsulado
TO-247-4
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
90 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.8V
Disipación de Potencia Máxima
113.5 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-8 V, +19 V
Material del transistor
SiC
Longitud
16.13mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
35 nC a 15 V, 35 nC a 4 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
5.21mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
4.8V
Altura
23.6mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de carburo de silicio, serie C3M, Cree Inc.
Nueva tecnología MOSFET de carburo de silicio (SiC) C3M
Tensión de ruptura de drenaje de tensión mínima de 1.000 V en todo el rango de temperatura de funcionamiento:
Nuevo encapsulado de baja impedancia con fuente de controlador
8 mm de recorrido/distancia entre fuente y drenador
Conmutación de alta velocidad con baja capacitancia de salida
Alta tensión de bloqueo con resistencia baja de estado de fuente-drenador
Robustez de avalancha
Diodo intrínseco rápido con recuperación inversa baja
MOSFET Transistors, Cree Inc.
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$ 21.900
Each (Sin IVA)
$ 26.061
Each (IVA Incluido)
1
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1
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
---|---|
1 - 24 | $ 21.900 |
25 - 74 | $ 20.001 |
75 - 149 | $ 19.446 |
150+ | $ 18.978 |
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Especificaciones
Brand
WolfspeedTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
35 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1000 V
Serie
C3M
Tipo de Encapsulado
TO-247-4
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
90 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.8V
Disipación de Potencia Máxima
113.5 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-8 V, +19 V
Material del transistor
SiC
Longitud
16.13mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
35 nC a 15 V, 35 nC a 4 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
5.21mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
4.8V
Altura
23.6mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de carburo de silicio, serie C3M, Cree Inc.
Nueva tecnología MOSFET de carburo de silicio (SiC) C3M
Tensión de ruptura de drenaje de tensión mínima de 1.000 V en todo el rango de temperatura de funcionamiento:
Nuevo encapsulado de baja impedancia con fuente de controlador
8 mm de recorrido/distancia entre fuente y drenador
Conmutación de alta velocidad con baja capacitancia de salida
Alta tensión de bloqueo con resistencia baja de estado de fuente-drenador
Robustez de avalancha
Diodo intrínseco rápido con recuperación inversa baja