Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayConfiguración de diodo
Matriz compleja
Tipo de Dirección
Bi-Directional
Tensión Residual Máxima
15V
Tensión Mínima de Ruptura
6.3V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
LLP75
Tensión de Corte Inversa Máxima
5V
Conteo de Pines
6
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
200W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
10A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
4
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-45 °C
Temperatura máxima de funcionamiento
125 °C
Dimensiones
1.65 x 1.65 x 0.6mm
Corriente de Fugas Inversa Máxima
100nA
Longitud:
1.65mm
Altura
0.6mm
Ancho
1.65mm
Corriente de Prueba
1mA
País de Origen
China
Datos del producto
Protectores de ESD, Vishay Semiconductor
Protección contra descargas electrostáticas (ESD) conforme a los estándares IEC 61000
Transient Voltage Suppressors, Vishay Semiconductor
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P.O.A.
50
P.O.A.
50
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VishayConfiguración de diodo
Matriz compleja
Tipo de Dirección
Bi-Directional
Tensión Residual Máxima
15V
Tensión Mínima de Ruptura
6.3V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
LLP75
Tensión de Corte Inversa Máxima
5V
Conteo de Pines
6
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
200W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
10A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
4
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-45 °C
Temperatura máxima de funcionamiento
125 °C
Dimensiones
1.65 x 1.65 x 0.6mm
Corriente de Fugas Inversa Máxima
100nA
Longitud:
1.65mm
Altura
0.6mm
Ancho
1.65mm
Corriente de Prueba
1mA
País de Origen
China
Datos del producto
Protectores de ESD, Vishay Semiconductor
Protección contra descargas electrostáticas (ESD) conforme a los estándares IEC 61000