Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
3.8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
1206 ChipFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
156 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
3,1 W
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7 nC a 5 V
Profundidad
1.7mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.1mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P doble, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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$ 624
Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
$ 742,56
Each (In a Pack of 20) (IVA Incluido)
20
$ 624
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$ 742,56
Each (In a Pack of 20) (IVA Incluido)
20
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
---|---|---|
20 - 180 | $ 624 | $ 12.480 |
200 - 480 | $ 586 | $ 11.720 |
500 - 980 | $ 530 | $ 10.600 |
1000 - 1980 | $ 498 | $ 9.960 |
2000+ | $ 468 | $ 9.360 |
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Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
3.8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
1206 ChipFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
156 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
3,1 W
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7 nC a 5 V
Profundidad
1.7mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.1mm
País de Origen
China
Datos del producto