MOSFET Vishay SI1553CDL-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 400 mA, 700 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

Código de producto RS: 812-3094Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI1553CDL-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N, P

Maximum Continuous Drain Current

400 mA, 700 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOT-363

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.48 Ω, 578 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.6V

Disipación de Potencia Máxima

340 mW

Transistor Configuration

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±12 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

2.2mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

1,2 nC a 10 V, 1,9 nC a 10 V

Profundidad

1.35mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

2

Altura

1mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de canales N/P dobles, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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$ 117

Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)

$ 139,23

Each (In a Pack of 20) (IVA Incluido)

MOSFET Vishay SI1553CDL-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 400 mA, 700 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado
Seleccionar tipo de embalaje

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 20.

Producción -

Disponible en múltiplos de 20.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

20

Disponible en múltiplos de 20
20$ 2.340
40$ 4.680
60$ 7.020
80$ 9.360
100$ 11.700
120$ 14.040
140$ 16.380
160$ 18.720
180$ 21.060
200$ 23.400
220$ 25.740
240$ 28.080
260$ 30.420
280$ 32.760
300$ 35.100

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120$ 14.040
140$ 16.380
160$ 18.720
180$ 21.060
200$ 23.400
220$ 25.740
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Tipo de Encapsulado

SOT-363

Tipo de montaje

Surface Mount

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6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.48 Ω, 578 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.6V

Disipación de Potencia Máxima

340 mW

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±12 V

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Largo

2.2mm

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Profundidad

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Material del transistor

Si

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