Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
5.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
500 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
25000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
6.22mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Largo
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
6,1 nC a 10 V
Altura
2.38mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
$ 519
Each (On a Reel of 2000) (Sin IVA)
$ 617,61
Each (On a Reel of 2000) (IVA Incluido)
2000
$ 519
Each (On a Reel of 2000) (Sin IVA)
$ 617,61
Each (On a Reel of 2000) (IVA Incluido)
2000
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
5.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
500 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
25000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
6.22mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Largo
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
6,1 nC a 10 V
Altura
2.38mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto