Fototransistor NPN Vishay sensible a IR, luz visible, rango onda λ 450 → 1080 nm, corriente Ic 50mA, mont.
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayEspectros Detectados
infrarrojo, Luz Visible
Spectrum(s) Detected
Infrared, Visible Light
Tiempo de Bajada Típico
2.3µs
Typical Rise Time
2µs
Number of Channels
1
Maximum Light Current
15000µA
Corriente de Oscuridad Máxima
200nA
Ángulo de Sensibilidad Media
40 °
Polarity
NPN
Number of Pins
1
Tipo de montaje
Through Hole
Encapsulado
5mm (T-1 3/4)
Dimensiones
5.75 x 5.75 x 8.6mm
Corriente del Colector
50mA
Rango Espectral de Sensibilidad
450 → 1080 nm
Mínima Longitud de Onda Detectada
450nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
1080nm
Largo
5.75mm
Profundidad
5.75mm
Altura
8.6mm
Datos del producto
Fototransistores series BPW96B y BPW96C
Las series BPW96B y BPW96C, de Vishay Semiconductor, son una familia de fototransistores NPN de silicio. Disponen de encapsulados de 5 mm (T-1 3/4) de orificio pasante con una lente de plástico transparente. Esto permite que los fototransistores BPW96B y BPW96C sean sensibles a la radiación por infrarrojos visible y cercana. Las aplicaciones adecuadas para estos transistores incluyen detectores en circuitos de control y accionamiento electrónicos.
Características de los fototransistores BPW96B y BPW96C:
Encapsulado de 5 mm (T-1 3/4)
Montaje en orificio pasante
Encapsulado de plástico transparente
Elevada fotosensibilidad
Alta sensibilidad radiante
Tiempos de respuesta rápidos
IR Phototransistors, Vishay Semiconductor
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P.O.A.
10
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Especificaciones
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VishayEspectros Detectados
infrarrojo, Luz Visible
Spectrum(s) Detected
Infrared, Visible Light
Tiempo de Bajada Típico
2.3µs
Typical Rise Time
2µs
Number of Channels
1
Maximum Light Current
15000µA
Corriente de Oscuridad Máxima
200nA
Ángulo de Sensibilidad Media
40 °
Polarity
NPN
Number of Pins
1
Tipo de montaje
Through Hole
Encapsulado
5mm (T-1 3/4)
Dimensiones
5.75 x 5.75 x 8.6mm
Corriente del Colector
50mA
Rango Espectral de Sensibilidad
450 → 1080 nm
Mínima Longitud de Onda Detectada
450nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
1080nm
Largo
5.75mm
Profundidad
5.75mm
Altura
8.6mm
Datos del producto
Fototransistores series BPW96B y BPW96C
Las series BPW96B y BPW96C, de Vishay Semiconductor, son una familia de fototransistores NPN de silicio. Disponen de encapsulados de 5 mm (T-1 3/4) de orificio pasante con una lente de plástico transparente. Esto permite que los fototransistores BPW96B y BPW96C sean sensibles a la radiación por infrarrojos visible y cercana. Las aplicaciones adecuadas para estos transistores incluyen detectores en circuitos de control y accionamiento electrónicos.
Características de los fototransistores BPW96B y BPW96C:
Encapsulado de 5 mm (T-1 3/4)
Montaje en orificio pasante
Encapsulado de plástico transparente
Elevada fotosensibilidad
Alta sensibilidad radiante
Tiempos de respuesta rápidos
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