MOSFET Vishay Siliconix SiS110DN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 14,2 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Vishay SiliconixTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
14.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Serie
TrenchFET
Tipo de Encapsulado
PowerPAK 1212-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
70 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
4V
Disipación de Potencia Máxima
24000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
3.15mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
3.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,5 nC a 10 V
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
1.07mm
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
China
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$ 250
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 297,50
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
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N
Maximum Continuous Drain Current
14.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
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Serie
TrenchFET
Tipo de Encapsulado
PowerPAK 1212-8
Tipo de montaje
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8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
70 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
4V
Disipación de Potencia Máxima
24000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
3.15mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
3.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,5 nC a 10 V
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
1.07mm
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