MOSFET Toshiba SSM3K333R, VDSS 30 V, ID 6 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
42 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.3V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
1.8mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,4 nC a 4,5 V
Altura
0.8mm
País de Origen
Thailand
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$ 130
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 154,70
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
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3000
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Rollo |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | $ 130 | $ 390.000 |
| 6000 - 6000 | $ 124 | $ 372.000 |
| 9000+ | $ 117 | $ 351.000 |
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Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
42 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.3V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
1.8mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,4 nC a 4,5 V
Altura
0.8mm
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Thailand
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