MOSFET Texas Instruments CSD25481F4, VDSS 20 V, ID 2,5 A, PICOSTAR de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 827-4925Marca: Texas InstrumentsNúmero de parte de fabricante: CSD25481F4
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Texas Instruments

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

2.5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

PICOSTAR

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

800 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.2V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.7V

Disipación de Potencia Máxima

500 mW

Transistor Configuration

Single

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

0,913 nC a 4,5 V

Ancho

0.6mm

Material del transistor

Si

Serie

FemtoFET

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

0.35mm

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal P NexFET™, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

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P.O.A.

MOSFET Texas Instruments CSD25481F4, VDSS 20 V, ID 2,5 A, PICOSTAR de 3 pines, config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Estándar

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

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