MOSFET Texas Instruments CSD25404Q3T, VDSS 20 V, ID 104 A, VSON-CLIP de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
104 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
VSON-CLIP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
150 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.15V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.65V
Disipación de Potencia Máxima
96 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
3.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10,8 nC a 4,5 V
Altura
1.1mm
Serie
NexFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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$ 1.604
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 1.908,76
Each (In a Pack of 5) (IVA Incluido)
5
$ 1.604
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 1.908,76
Each (In a Pack of 5) (IVA Incluido)
5
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
---|---|---|
5 - 10 | $ 1.604 | $ 8.020 |
15 - 45 | $ 1.283 | $ 6.415 |
50 - 245 | $ 1.125 | $ 5.625 |
250 - 495 | $ 982 | $ 4.910 |
500+ | $ 871 | $ 4.355 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
104 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
VSON-CLIP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
150 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.15V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.65V
Disipación de Potencia Máxima
96 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
3.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10,8 nC a 4,5 V
Altura
1.1mm
Serie
NexFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
Datos del producto