MOSFET Texas Instruments CSD22204WT, VDSS 8 V, ID 5 A, DSBGA de 9 pines, config. Simple

Código de producto RS: 145-7461Marca: Texas InstrumentsNúmero de parte de fabricante: CSD22204WT
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Texas Instruments

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

8 V

Tipo de Encapsulado

DSBGA

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

9

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

14 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

1.7 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-6 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

1.5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

18,9 nC a 4 V

Ancho

1.5mm

Número de Elementos por Chip

1

Tensión de diodo directa

1V

Altura

0.35mm

Serie

NexFET

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

País de Origen

Philippines

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N NexFET™, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

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P.O.A.

MOSFET Texas Instruments CSD22204WT, VDSS 8 V, ID 5 A, DSBGA de 9 pines, config. Simple

250

Disponible en múltiplos de 250
250P.O.A.
500P.O.A.
750P.O.A.
1000P.O.A.
1250P.O.A.
1500P.O.A.
1750P.O.A.
2000P.O.A.
2250P.O.A.
2500P.O.A.
2750P.O.A.
3000P.O.A.
3250P.O.A.
3500P.O.A.
3750P.O.A.

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P

Maximum Continuous Drain Current

5 A

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Tipo de montaje

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Conteo de Pines

9

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

14 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

1.7 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-6 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

1.5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

18,9 nC a 4 V

Ancho

1.5mm

Número de Elementos por Chip

1

Tensión de diodo directa

1V

Altura

0.35mm

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