Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Serie
NexFET
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
118 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
17,1 nC a 0 V
Profundidad
4.7mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
Altura
16.51mm
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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$ 1.847
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 2.197,93
Each (In a Pack of 5) (IVA Incluido)
5
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Each (In a Pack of 5) (IVA Incluido)
5
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
---|---|---|
5 - 20 | $ 1.847 | $ 9.235 |
25 - 45 | $ 1.429 | $ 7.145 |
50+ | $ 1.400 | $ 7.000 |
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Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Serie
NexFET
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
118 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
17,1 nC a 0 V
Profundidad
4.7mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
Altura
16.51mm
Datos del producto