MOSFET Texas Instruments CSD17313Q2, VDSS 30 V, ID 5 A, SON de 6 pines, config. Simple

Brand

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SON

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

42 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.8V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.9V

Disipación de Potencia Máxima

2.3 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-8 V, +10 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

2mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

2,1 nC a 4,5 V

Profundidad

2mm

Material del transistor

Si

Serie

NexFET

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Altura

0.8mm