MOSFET Texas Instruments CSD16406Q3, VDSS 25 V, ID 79 A, SON de 8 pines, config. Simple

Código de producto RS: 914-2939Marca: Texas InstrumentsNúmero de parte de fabricante: CSD16406Q3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

79 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

25 V

Tipo de Encapsulado

SON

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

7,4 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.4V

Disipación de Potencia Máxima

46 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-12 V, +16 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

3.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

5,8 nC a 4,5 V

Ancho

3.4mm

Material del transistor

Si

Tensión de diodo directa

1V

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Altura

1.1mm

Serie

NexFET

Datos del producto

MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

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8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

7,4 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.4V

Disipación de Potencia Máxima

46 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-12 V, +16 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

3.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

5,8 nC a 4,5 V

Ancho

3.4mm

Material del transistor

Si

Tensión de diodo directa

1V

Temperatura Mínima de Operación

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