Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
WSON
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
34 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.55V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.9V
Disipación de Potencia Máxima
2.3 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-8 V, +10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2 nC a 4,5 V
Ancho
2mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
0.8mm
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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P.O.A.
Empaque de Producción (Rollo)
10
P.O.A.
Empaque de Producción (Rollo)
10
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Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
WSON
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
34 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.55V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.9V
Disipación de Potencia Máxima
2.3 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-8 V, +10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2 nC a 4,5 V
Ancho
2mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
0.8mm
Datos del producto