Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
3.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
12 V
Tipo de Encapsulado
DSBGA
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
15.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
1.9 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,6 nC a 0 V
Profundidad
1.49mm
Material del transistor
Si
Serie
NexFET
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
Altura
0.28mm
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Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
3.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
12 V
Tipo de Encapsulado
DSBGA
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
15.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
1.9 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,6 nC a 0 V
Profundidad
1.49mm
Material del transistor
Si
Serie
NexFET
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
Altura
0.28mm