MOSFET Texas Instruments BQ500101DPCT, VDSS 30 V, ID 10 A, VSON-CLIP de 8 pines, 2elementos, config. Base doble

Código de producto RS: 133-0142Marca: Texas InstrumentsNúmero de parte de fabricante: BQ500101DPCT
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Texas Instruments

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

10 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Serie

NexFET

Tipo de Encapsulado

VSON-CLIP

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

3.7V

Disipación de Potencia Máxima

8 W

Transistor Configuration

Dual Base

Profundidad

3.6mm

Número de Elementos por Chip

2

Temperatura máxima de funcionamiento

125 °C

Longitud

4.6mm

Altura

1mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 ºC

Tensión de diodo directa

0.24V

Datos del producto

Power MOSFET Modules, Texas Instruments

Bloque de potencia NexFET de medio puente

MOSFET Transistors, Texas Instruments

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P.O.A.

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

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8 W

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