MOSFET Taiwan Semiconductor TSM060N03CP ROG, VDSS 30 V, ID 80 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Name: MOSFET Taiwan Semiconductor TSM060N03CP ROG, VDSS 30 V, ID 80 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 1713607
Availability: LimitedAvailability

Código de producto RS: 171-3607Marca: Taiwan SemiconductorNúmero de parte de fabricante: TSM060N03CP ROG

Ver todo de MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Taiwan Semiconductor

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

80 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

9 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

Disipación de Potencia Máxima

54 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

11,1 nC a 4,5 V

Número de Elementos por Chip

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

6.5mm

Ancho

5.8mm

Tensión de diodo directa

Altura

2.3mm

Volver a intentar más tarde

Vuelva a verificar más tarde.

Volver a intentar más tarde

$ 894

Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)

$ 1.063,86

Each (On a Reel of 2500) (IVA Incluido)

MOSFET Taiwan Semiconductor TSM060N03CP ROG, VDSS 30 V, ID 80 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

2500

$ 894

Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)

$ 1.063,86

Each (On a Reel of 2500) (IVA Incluido)

MOSFET Taiwan Semiconductor TSM060N03CP ROG, VDSS 30 V, ID 80 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Volver a intentar más tarde

2500

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos

Haga clic aquí para conocer más

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Taiwan Semiconductor

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

80 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

9 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

Disipación de Potencia Máxima

54 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

11,1 nC a 4,5 V

Número de Elementos por Chip

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

6.5mm

Ancho

5.8mm

Tensión de diodo directa

Altura

2.3mm