Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de canal
Type N
Tipo de Producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
55A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
30V
Serie
STW
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
4
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
45mΩ
Modo de canal
Enhancement
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Tensión directa Vf
1.5V
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
118nC
Disipación de potencia máxima Pd
480W
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Certificaciones y estándares
UL
Longitud
40.92mm
Altura
5.1mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
El MOSFET de potencia de canal N de alta tensión STMicroelectronics es parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh DM6. En comparación con la anterior generación rápida de MDmesh, el DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), un tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más eficaces disponibles en el mercado para las topologías de puente de alta eficiencia más exigentes y los convertidores de cambio de fase ZVS.
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Empaque de Producción (Bandeja)
1
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Modo de canal
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-55°C
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1.5V
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
118nC
Disipación de potencia máxima Pd
480W
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Certificaciones y estándares
UL
Longitud
40.92mm
Altura
5.1mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
El MOSFET de potencia de canal N de alta tensión STMicroelectronics es parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh DM6. En comparación con la anterior generación rápida de MDmesh, el DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), un tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más eficaces disponibles en el mercado para las topologías de puente de alta eficiencia más exigentes y los convertidores de cambio de fase ZVS.
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