Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
75 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-160 V
Series
STripFET
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
34 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
190000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
84 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
10.4mm
Ancho
4.6mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-50 °C
Altura
15.75mm
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 5.245
Each (Sin IVA)
$ 6.242
Each (IVA Inc.)
Estándar
1
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
---|---|
1 - 4 | $ 5.245 |
5 - 9 | $ 4.982 |
10 - 24 | $ 4.485 |
25 - 49 | $ 4.032 |
50+ | $ 3.828 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
75 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-160 V
Series
STripFET
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
34 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
190000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
84 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
10.4mm
Ancho
4.6mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-50 °C
Altura
15.75mm
Datos del producto