MOSFET STMicroelectronics STP120NF10, VDSS 100 V, ID 120 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 687-5295Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STP120NF10
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Serie

STripFET II

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

10.5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

312000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

172 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud

10.4mm

Profundidad

4.6mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

9.15mm

Datos del producto

STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics

Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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$ 1.773,10

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N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

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TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

10.5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

312000 mW

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Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

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1

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud

10.4mm

Profundidad

4.6mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

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