Transistor MOSFET STMicroelectronics STF26N60DM6, ID 18 A, TO-220FP de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 192-5048Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STF26N60DM6
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

18 A

Tipo de Encapsulado

TO-220 FP

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

195 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.75V

Tensión de umbral de puerta mínima

3.25V

Disipación de Potencia Máxima

30000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±25 V

Ancho

4.6mm

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

10.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

24 nC a 10 V

Altura

16.4mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.6V

País de Origen

China

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P.O.A.

Transistor MOSFET STMicroelectronics STF26N60DM6, ID 18 A, TO-220FP de 3 pines, config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 2.

Producción -

Disponible en múltiplos de 2.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

2

Disponible en múltiplos de 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

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N

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

195 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.75V

Tensión de umbral de puerta mínima

3.25V

Disipación de Potencia Máxima

30000 mW

Transistor Configuration

Single

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±25 V

Ancho

4.6mm

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1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

10.4mm

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