Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
18 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-160 V
Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.125 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
30000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
28 nC a 10 V
Profundidad
4.6mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Altura
16.4mm
Serie
STripFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
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Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
50
P.O.A.
50
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
18 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-160 V
Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.125 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
30000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
28 nC a 10 V
Profundidad
4.6mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Altura
16.4mm
Serie
STripFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C