Transistor MOSFET STMicroelectronics STB22N60M6, ID 15 A, D2PAK de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 192-4650Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STB22N60M6
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

15 A

Tipo de Encapsulado

D2PAK, TO-263AB

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

230 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.75V

Tensión de umbral de puerta mínima

3.25V

Disipación de Potencia Máxima

130000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±25 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

10.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

20 nC a 10 V

Profundidad

9.35mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.6V

Altura

4.37mm

País de Origen

China

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P.O.A.

Transistor MOSFET STMicroelectronics STB22N60M6, ID 15 A, D2PAK de 3 pines, config. Simple

1000

Disponible en múltiplos de 1000
1000P.O.A.
2000P.O.A.
3000P.O.A.
4000P.O.A.
5000P.O.A.
6000P.O.A.
7000P.O.A.
8000P.O.A.
9000P.O.A.
10000P.O.A.
11000P.O.A.
12000P.O.A.
13000P.O.A.
14000P.O.A.
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Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

15 A

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D2PAK, TO-263AB

Tipo de montaje

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Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

230 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.75V

Tensión de umbral de puerta mínima

3.25V

Disipación de Potencia Máxima

130000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±25 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

10.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

20 nC a 10 V

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