MOSFET ROHM SH8J66TB1, VDSS 30 V, ID 9 A, SOP de 8 pines, 2elementos
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ROHMTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Serie
SH8J66
Tipo de Encapsulado
SOP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
18,5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
35 nC a 5 V
Ancho
4.05mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1.6mm
País de Origen
Thailand
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P.O.A.
5
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Brand
ROHMTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Serie
SH8J66
Tipo de Encapsulado
SOP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
18,5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
35 nC a 5 V
Ancho
4.05mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
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