Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
PanasonicTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Serie
MTM
Tipo de Encapsulado
Smini3-G1-B
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
40 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.3V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
1.25mm
Material del transistor
Si
Longitud:
2mm
Altura
0.8mm
Datos del producto
MOSFET de canal P, Panasonic
MOSFET Transistors, Panasonic
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
PanasonicTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Serie
MTM
Tipo de Encapsulado
Smini3-G1-B
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
40 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.3V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
1.25mm
Material del transistor
Si
Longitud:
2mm
Altura
0.8mm
Datos del producto