Relé sin enclavamiento Panasonic, 4PDT, bobina 24V dc, 5A, Montaje en PCB
Documentos Técnicos
Especificaciones
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-50°C
Potencia de Conmutación Máxima AC
1,25 kVA
Temperatura Máxima de Operación
+70°C
Switching Current
5A
Aislamiento de Bobina a Contacto
2kV rms
Tensión de Conmutación Máxima AC
250V ac
Material de los Contactos
Gold Plated
Tensión de la Bobina
24V dc
Tipo de montaje
PCB Mount
Tipo de Terminal
Through Hole
Configuración de los Contactos
4PDT
Largo
20.8mm
Vida Útil
100000000 de ciclos (mecánicos CC), 200000 ciclos (eléctricos), 50000000 de ciclos (mecánicos CA)
Profundidad
27.2mm
Potencia de la Bobina
900mW
Altura
35.2mm
Resistencia de bobina
650 <ohm/>
Brand
PanasonicPaís de Origen
Japan
Datos del producto
IGBT discretos, serie XPT, IXYS
La gama XPT™ de IGBT de IXYS ofrece tecnología de oblea fina de perforación extremadamente ligera, lo que proporciona resistencia térmica reducida y bajas pérdidas de energía. Estos dispositivos ofrecen tiempos de conmutación rápidos con baja corriente de cola y están disponibles en una gran variedad de encapsulados exclusivos y estándar del sector.
Alta densidad de potencia y bajo VCE (sat)
Áreas de operación segura en polarización inversa (RBSOA) hasta la tensión nominal de ruptura
Capacidad de cortocircuito de 10 usec
Coeficiente de temperatura de tensión de encendido positiva
Diodos Sonic-FRD™ o HiPerFRED™ empaquetados conjuntamente opcionales
Encapsulados de alta tensión exclusivos y de estándar internacional
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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P.O.A.
20
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-50°C
Potencia de Conmutación Máxima AC
1,25 kVA
Temperatura Máxima de Operación
+70°C
Switching Current
5A
Aislamiento de Bobina a Contacto
2kV rms
Tensión de Conmutación Máxima AC
250V ac
Material de los Contactos
Gold Plated
Tensión de la Bobina
24V dc
Tipo de montaje
PCB Mount
Tipo de Terminal
Through Hole
Configuración de los Contactos
4PDT
Largo
20.8mm
Vida Útil
100000000 de ciclos (mecánicos CC), 200000 ciclos (eléctricos), 50000000 de ciclos (mecánicos CA)
Profundidad
27.2mm
Potencia de la Bobina
900mW
Altura
35.2mm
Resistencia de bobina
650 <ohm/>
Brand
PanasonicPaís de Origen
Japan
Datos del producto
IGBT discretos, serie XPT, IXYS
La gama XPT™ de IGBT de IXYS ofrece tecnología de oblea fina de perforación extremadamente ligera, lo que proporciona resistencia térmica reducida y bajas pérdidas de energía. Estos dispositivos ofrecen tiempos de conmutación rápidos con baja corriente de cola y están disponibles en una gran variedad de encapsulados exclusivos y estándar del sector.
Alta densidad de potencia y bajo VCE (sat)
Áreas de operación segura en polarización inversa (RBSOA) hasta la tensión nominal de ruptura
Capacidad de cortocircuito de 10 usec
Coeficiente de temperatura de tensión de encendido positiva
Diodos Sonic-FRD™ o HiPerFRED™ empaquetados conjuntamente opcionales
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IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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