Fotodiodo de silicioOsram Opto, IR + luz visible, λ sensibilidad máx. 850nm, mont. superficial, encapsulado DIP de 2
Documentos Técnicos
Especificaciones
Espectros Detectados
infrarrojo, Luz Visible
Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico
850nm
Encapsulado
DIP
Tipo de montaje
Surface Mount
Number of Pins
1
Material del Diodo
Si
Mínima Longitud de Onda Detectada
400nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
1100nm
Longitud
4.5mm
Ancho
4mm
Altura
1.2mm
Fotosensibilidad de Pico
0.62A/W
Ángulo de Sensibilidad Media
60 °
Polarity
Forward
Datos del producto
Fotodiodo PIN, área sensible radiante 2,2 x 2,2 mm²
Esta gama de fotodiodos PIN, de OSRAM Opto Semiconductors, tiene un área sensible de 2,2 x 2,2 mm². Están disponibles con o sin filtro de luz diurna.
Estos fotodiodos PIN son ideales para aplicaciones de alta velocidad.
IR Photodiodes, OSRAM Opto Semiconductors
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P.O.A.
Empaque de Producción (Rollo)
5
P.O.A.
Empaque de Producción (Rollo)
5
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Especificaciones
Espectros Detectados
infrarrojo, Luz Visible
Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico
850nm
Encapsulado
DIP
Tipo de montaje
Surface Mount
Number of Pins
1
Material del Diodo
Si
Mínima Longitud de Onda Detectada
400nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
1100nm
Longitud
4.5mm
Ancho
4mm
Altura
1.2mm
Fotosensibilidad de Pico
0.62A/W
Ángulo de Sensibilidad Media
60 °
Polarity
Forward
Datos del producto
Fotodiodo PIN, área sensible radiante 2,2 x 2,2 mm²
Esta gama de fotodiodos PIN, de OSRAM Opto Semiconductors, tiene un área sensible de 2,2 x 2,2 mm². Están disponibles con o sin filtro de luz diurna.
Estos fotodiodos PIN son ideales para aplicaciones de alta velocidad.