Módulo IGBT, NXH100B120H3Q0PTGOS, N-Canal, 1.200 V, Q0BOOST, 22-Pines Doble

Código de producto RS: 195-8768Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NXH100B120H3Q0PTG
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tensión Máxima Colector-Emisor

1200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

186 W

Tipo de Encapsulado

Q0BOOST

Configuration

Dual

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

22

Transistor Configuration

Dual

Dimensiones del Cuerpo

66.2 x 32.8 x 11.9mm

Temperatura Máxima de Operación

+150 ºC

Temperatura Mínima de Operación

-40 ºC

Ancho

32.8mm

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$ 84.045

Each (In a Tray of 24) (Sin IVA)

$ 100.013,55

Each (In a Tray of 24) (IVA Incluido)

Módulo IGBT, NXH100B120H3Q0PTGOS, N-Canal, 1.200 V, Q0BOOST, 22-Pines Doble

24

Disponible en múltiplos de 24
24$ 2.017.080
48$ 4.034.160
72$ 6.051.240
96$ 8.068.320
120$ 10.085.400
144$ 12.102.480
168$ 14.119.560
192$ 16.136.640
216$ 18.153.720
240$ 20.170.800
264$ 22.187.880
288$ 24.204.960
312$ 26.222.040
336$ 28.239.120
360$ 30.256.200

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144$ 12.102.480
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216$ 18.153.720
240$ 20.170.800
264$ 22.187.880
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Tipo de Encapsulado

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Configuration

Dual

Tipo de montaje

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Tipo de Canal

N

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