MOSFET onsemi NVD5C688NL, VDSS 60 V, ID 17 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 141-7240Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NVD5C688NLT4G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

17 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Serie

NVD5C688NL-D

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

40 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.1V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

18000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±16 V

Ancho

6.22mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud:

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

7 nC a 10 V

Altura

2.38mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Estándar de automoción

AEC-Q101

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)

$ 2.078,93

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N

Maximum Continuous Drain Current

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Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

40 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.1V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

18000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±16 V

Ancho

6.22mm

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1

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud:

6.73mm

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Altura

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-55 °C

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