MOSFET onsemi NTZD3152PG, VDSS 20 V, ID 430 mA, SOT-563 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
430 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-563
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Disipación de Potencia Máxima
280 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-6 V, +6 V
Profundidad
1.3mm
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
1.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,7 nC a 4,5 V
Altura
0.6mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de canal P doble, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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$ 80
Each (On a Reel of 4000) (Sin IVA)
$ 95,20
Each (On a Reel of 4000) (IVA Incluido)
4000
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P
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
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Tipo de Encapsulado
SOT-563
Tipo de montaje
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6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Disipación de Potencia Máxima
280 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-6 V, +6 V
Profundidad
1.3mm
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
1.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,7 nC a 4,5 V
Altura
0.6mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
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