MOSFET onsemi NTTFS6H850NTAG, VDSS 80 V, ID 68 A, WDFN de 8 pines, , config. Simple

Brand

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

68,5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

80 V

Tipo de Encapsulado

WDFN

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

9,5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

107000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Longitud:

3.15mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

3,6 nC a 10 V

Profundidad

3.15mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Altura

0.75mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

País de Origen

Malaysia