Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
52 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
LFPAK, SOT-669
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
12 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
38000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
4.25mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Longitud:
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7 nC a 4,5 V
Altura
1.15mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
$ 1.775
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 2.112,25
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
$ 1.775
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 2.112,25
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
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Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
52 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
LFPAK, SOT-669
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
12 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
38000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
4.25mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Longitud:
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7 nC a 4,5 V
Altura
1.15mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V