MOSFET onsemi NTK3139PTG, VDSS 20 V, ID 870 mA, SOT-723 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
870 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-723
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
550 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-6 V, +6 V
Profundidad
0.85mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
1.25mm
Altura
0.55mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P, 20 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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$ 124
Each (On a Reel of 4000) (Sin IVA)
$ 147,56
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4000
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P
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Tipo de Encapsulado
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3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
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Profundidad
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Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
1.25mm
Altura
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Temperatura de Funcionamiento Mínima
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