Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
3.9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
ChipFET
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
140 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Disipación de Potencia Máxima
2.1 W
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
1.7mm
Número de Elementos por Chip
2
Material del transistor
Si
Longitud:
3.1mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,6 nC a 10 V
Altura
1.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de canal N doble, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
3.9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
ChipFET
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
140 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Disipación de Potencia Máxima
2.1 W
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
1.7mm
Número de Elementos por Chip
2
Material del transistor
Si
Longitud:
3.1mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,6 nC a 10 V
Altura
1.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto