MOSFET onsemi NTHD4102PT1G, VDSS 20 V, ID 4,1 A, ChipFET de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
4.1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
ChipFET
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
170 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
2.1 W
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Ancho
1.7mm
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
3.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7,6 nC a 4,5 V
Altura
1.1mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de canal P doble, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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$ 527
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 627,13
Each (On a Reel of 3000) (IVA Inc.)
3000
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P
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
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Tipo de Encapsulado
ChipFET
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8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
170 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
2.1 W
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Ancho
1.7mm
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
3.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7,6 nC a 4,5 V
Altura
1.1mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
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