Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Puente
Single Phase
Corriente Directa Media de Pico
2A
Tensión Repetitiva Inversa de Pico
30V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
U-DFN3535
Conteo de Pines
4
Tecnología de diodo
Schottky
Configuration
Single
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
12.5A
Máxima Temperatura de Funcionamiento
125 °C
Tensión Directa de Pico
650mV
Corriente Inversa de Pico
20µA
Longitud:
3.5mm
Dimensiones del Cuerpo
3.5 x 3.5 x 0.5mm
Altura
0.5mm
Profundidad
3.5mm
Capacitancia de unión
102pF
Datos del producto
Rectificador de puente completo Schottky NSR2030, ON Semiconductor
Los diodos de barrera Schottky de puente completo NSR2030 de ON Semiconductor tienen una tensión directa muy baja para reducir la pérdida de conducción. Diseñados para baja tensión, rectificación de puente completo de señales de alta velocidad, como carga inalámbrica.
Bridge Rectifiers - ON Semiconductor
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
20
P.O.A.
20
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Puente
Single Phase
Corriente Directa Media de Pico
2A
Tensión Repetitiva Inversa de Pico
30V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
U-DFN3535
Conteo de Pines
4
Tecnología de diodo
Schottky
Configuration
Single
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
12.5A
Máxima Temperatura de Funcionamiento
125 °C
Tensión Directa de Pico
650mV
Corriente Inversa de Pico
20µA
Longitud:
3.5mm
Dimensiones del Cuerpo
3.5 x 3.5 x 0.5mm
Altura
0.5mm
Profundidad
3.5mm
Capacitancia de unión
102pF
Datos del producto
Rectificador de puente completo Schottky NSR2030, ON Semiconductor
Los diodos de barrera Schottky de puente completo NSR2030 de ON Semiconductor tienen una tensión directa muy baja para reducir la pérdida de conducción. Diseñados para baja tensión, rectificación de puente completo de señales de alta velocidad, como carga inalámbrica.