Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Dirección
Uni-Directional
Configuración de diodo
Ánodo común
Tensión Mínima de Ruptura
6.1V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-353 (SC-70)
Tensión de Corte Inversa Máxima
3V
Conteo de Pines
5
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
150W
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
4
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
2.2 x 1.35 x 1mm
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1µA
Longitud
2.2mm
Altura
1mm
Ancho
1mm
Corriente de Prueba
1mA
Datos del producto
Low Capacitance ESD Protection Array
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
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P.O.A.
50
P.O.A.
50
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onsemiTipo de Dirección
Uni-Directional
Configuración de diodo
Ánodo común
Tensión Mínima de Ruptura
6.1V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-353 (SC-70)
Tensión de Corte Inversa Máxima
3V
Conteo de Pines
5
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
150W
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
4
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
2.2 x 1.35 x 1mm
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1µA
Longitud
2.2mm
Altura
1mm
Ancho
1mm
Corriente de Prueba
1mA
Datos del producto