Par Darlington, MMBTA64, PNP -1,2 A, 30 V, HFE:20000, SOT-23, 3 pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
PNP
Corriente Máxima Continua del Colector
-1.2 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
30 V
Tensión Máxima Emisor-Base
-10 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
20000
Maximum Collector Base Voltage
-30 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
-1.5 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
-0.0001mA
Disipación de Potencia Máxima
350 mW
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.92mm
Altura
0.93mm
Ancho
1.3mm
Dimensiones del Cuerpo
2.92 x 1.3 x 0.93mm
País de Origen
China
Datos del producto
Transistores PNP Darlington, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
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Ganancia Mínima de Corriente DC
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Maximum Collector Base Voltage
-30 V
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-1.5 V
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-0.0001mA
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350 mW
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Temperatura máxima de funcionamiento
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Longitud
2.92mm
Altura
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Ancho
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China
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