IGBT, FGL40N120ANDTU, N-Canal, 64 A, 1.200 V, TO-264, 3-Pines Simple

Código de producto RS: 671-5408Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: FGL40N120ANDTU
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Corriente Máxima Continua del Colector

64 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±25V

Tipo de Encapsulado

TO-264

Tipo de montaje

Through Hole

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Transistor Configuration

Single

Dimensiones del Cuerpo

20 x 5 x 26mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

País de Origen

China

Datos del producto

IGBT discretos, 1.000 V y superior, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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N

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