Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
128 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
150000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
48 nC a 10 V
Longitud:
10.36mm
Profundidad
4.67mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
15.21mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
País de Origen
China
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$ 7.130
Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
$ 8.484,70
Each (In a Pack of 2) (IVA Incluido)
2
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$ 8.484,70
Each (In a Pack of 2) (IVA Incluido)
2
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
---|---|---|
2 - 8 | $ 7.130 | $ 14.260 |
10 - 98 | $ 6.063 | $ 12.126 |
100 - 248 | $ 4.851 | $ 9.702 |
250 - 498 | $ 4.580 | $ 9.160 |
500+ | $ 4.303 | $ 8.606 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
128 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
150000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
48 nC a 10 V
Longitud:
10.36mm
Profundidad
4.67mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
15.21mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
País de Origen
China