Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Dirección
Bi-Directional
Configuración de diodo
Single
Tensión Residual Máxima
10.5V
Tensión Mínima de Ruptura
5V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOD-923
Tensión de Corte Inversa Máxima
3.3V
Conteo de Pines
2
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
0.3W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
10.5A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
0.85 x 0.65 x 0.4mm
Corriente de Fugas Inversa Máxima
100nA
Estándar de automoción
AEC-Q101
Capacitancia
15pF
Longitud
0.85mm
Altura
0.4mm
Ancho
0.65mm
Corriente de Prueba
1mA
País de Origen
China
Datos del producto
Low Capacitance ESD Protection Array
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
100
P.O.A.
100
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Dirección
Bi-Directional
Configuración de diodo
Single
Tensión Residual Máxima
10.5V
Tensión Mínima de Ruptura
5V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOD-923
Tensión de Corte Inversa Máxima
3.3V
Conteo de Pines
2
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
0.3W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
10.5A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
0.85 x 0.65 x 0.4mm
Corriente de Fugas Inversa Máxima
100nA
Estándar de automoción
AEC-Q101
Capacitancia
15pF
Longitud
0.85mm
Altura
0.4mm
Ancho
0.65mm
Corriente de Prueba
1mA
País de Origen
China
Datos del producto