Transistor Darlington, BSP52G, NPN 1 A, 80 V, HFE:2000, SOT-223, 3 + Tab pines Simple

Código de producto RS: 800-9702Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: BSP52T3G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Transistor

NPN

Corriente Máxima Continua del Colector

1 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

80 V

Tensión Máxima Emisor-Base

5 V

Tipo de Encapsulado

SOT-223-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3 + Tab

Transistor Configuration

Single

Número de Elementos por Chip

1

Ganancia Mínima de Corriente DC

2000

Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor

1.9 V

Maximum Collector Base Voltage

90 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

1.3 V

Disipación de Potencia Máxima

125000 mW

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-65 °C

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

6.7mm

Altura

1.75mm

Profundidad

3.7mm

Dimensiones del Cuerpo

6.7 x 3.7 x 1.75mm

Datos del producto

Transistores Darlington NPN, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

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$ 473

Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)

$ 562,87

Each (In a Pack of 50) (IVA Incluido)

Transistor Darlington, BSP52G, NPN 1 A, 80 V, HFE:2000, SOT-223, 3 + Tab pines Simple
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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 50.

Producción -

Disponible en múltiplos de 50.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

50

Disponible en múltiplos de 50
50$ 23.650
100$ 47.300
150$ 70.950
200$ 94.600
250$ 63.500
300$ 76.200
350$ 88.900
400$ 101.600
450$ 114.300
500$ 127.000
550$ 139.700
600$ 152.400
650$ 165.100
700$ 177.800
750$ 190.500

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50

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100$ 47.300
150$ 70.950
200$ 94.600
250$ 63.500
300$ 76.200
350$ 88.900
400$ 101.600
450$ 114.300
500$ 127.000
550$ 139.700
600$ 152.400
650$ 165.100
700$ 177.800
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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
50 - 200$ 473$ 23.650
250+$ 254$ 12.700

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NPN

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Tensión Máxima Emisor-Base

5 V

Tipo de Encapsulado

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Tipo de montaje

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1

Ganancia Mínima de Corriente DC

2000

Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor

1.9 V

Maximum Collector Base Voltage

90 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

1.3 V

Disipación de Potencia Máxima

125000 mW

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-65 °C

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

6.7mm

Altura

1.75mm

Profundidad

3.7mm

Dimensiones del Cuerpo

6.7 x 3.7 x 1.75mm

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