Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Tensión Máxima Colector-Emisor
30 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
625 mW
Transistor Configuration
Single
Conteo de Pines
3
Tensión Máxima Emisor-Base
10 V
Número de Elementos por Chip
1
Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
5.33mm
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P.O.A.
25
P.O.A.
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Tensión Máxima Colector-Emisor
30 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
625 mW
Transistor Configuration
Single
Conteo de Pines
3
Tensión Máxima Emisor-Base
10 V
Número de Elementos por Chip
1
Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
5.33mm