Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
5 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
20 V
Tipo de Encapsulado
NMP
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
1000 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
60 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
120 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
PRICED TO CLEAR
Yes
Dimensiones
6.9 x 2.5 x 4.5mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
China
Datos del producto
Transistores NPN de uso general, más de 1 A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
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P.O.A.
2500
P.O.A.
2500
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onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
5 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
20 V
Tipo de Encapsulado
NMP
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
1000 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
60 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
120 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
PRICED TO CLEAR
Yes
Dimensiones
6.9 x 2.5 x 4.5mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
China
Datos del producto
Transistores NPN de uso general, más de 1 A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.