MOSFET onsemi NVMFS5C604NLWFAF, VDSS 60 V, ID 287 A, DFN de 4 + Tab pines, config. Simple

Name: MOSFET onsemi NVMFS5C604NLWFAF, VDSS 60 V, ID 287 A, DFN de 4 + Tab pines, config. Simple
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1412085

Código de producto RS: 141-2085Marca: ON SemiconductorNúmero de parte de fabricante: NVMFS5C604NLWFAFT1G

Ver todo de MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

ON Semiconductor

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

287 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

DFN EP

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

4 + Tab

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.7 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

200000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud:

5.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

120 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

Ancho

6.1mm

Tensión de diodo directa

1.2V

Estándar de automoción

AEC-Q101

Serie

NVMFS5C604NL

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

1.05mm

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Volver a intentar más tarde

Vuelva a verificar más tarde.

Volver a intentar más tarde

P.O.A.

MOSFET onsemi NVMFS5C604NLWFAF, VDSS 60 V, ID 287 A, DFN de 4 + Tab pines, config. Simple

1500

P.O.A.

MOSFET onsemi NVMFS5C604NLWFAF, VDSS 60 V, ID 287 A, DFN de 4 + Tab pines, config. Simple

Volver a intentar más tarde

1500

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos

Haga clic aquí para conocer más

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

ON Semiconductor

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

287 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

DFN EP

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

4 + Tab

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.7 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

200000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud:

5.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

120 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

Ancho

6.1mm

Tensión de diodo directa

1.2V

Estándar de automoción

AEC-Q101

Serie

NVMFS5C604NL

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

1.05mm

Datos del producto