MOSFET onsemi NTMD6N02G, VDSS 20 V, ID 6,5 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
6.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
49 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
12 nC a 4,5 V
Profundidad
4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Altura
1.5mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
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P.O.A.
25
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N
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6.5 A
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Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
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Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
49 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
12 nC a 4,5 V
Profundidad
4mm
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