MOSFET onsemi NTB6412ANG, VDSS 100 V, ID 58 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple

Brand

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

57,7 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

18.2 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Disipación de Potencia Máxima

167000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

13,5 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

10.29mm

Ancho

9.65mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

4.83mm