Transistor, NSVT65011MW6G, NPN 100 mA 65 V Dual SOT-363 (SC-88), 6 pines, 100 MHz, Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
65 V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de Montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
380 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
100 MHz
Conteo de Pines
6
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
2.2 x 1.35 x 1mm
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P.O.A.
50
P.O.A.
50
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Brand
ON SemiconductorTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
65 V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de Montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
380 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
100 MHz
Conteo de Pines
6
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
2.2 x 1.35 x 1mm